以二维非晶TaIrTe4为核心材料，并可实现短期至长期突触可塑性的可控转换，器件在光刺激下产生自供电、持续的光电流响应。
完全复刻了生物突触的记忆形成与遗忘规律，纳米片超薄、横向尺寸大，实现了全光双向突触功能的光电器件，。
TaIrTe4无定形纳米片的电化学剥离及结构表征，405 纳米 光脉冲诱发配对脉冲抑制（PPD，通过调节光脉冲宽度、功率或数量， 该工作揭示了二维非晶材料在全光型神经形态器件中的新可能。
图展示电化学剥离示意、光学显微图、TEM和AFM表征，imToken，成功模拟了生物突触的兴奋与抑制功能，在MNIST手写数字识别中准确率达92.1%，通过调控光波长（405638 纳米 ），为低功耗、全光控、双向突触功能的类脑光学计算提供了新思路， 研究进一步表明。
187.5%）。
使材料从金属性转变为半导体性。
为双向光响应奠定了基础， 基于该纳米片制备的场效应晶体管表现出双极载流子输运特性，在0.2 V低偏压下，开关比超过103，研究团队供图 传统硅基计算架构在速度和能耗上遭遇瓶颈。
但现有材料在光响应可控性、双向调控及能耗方面仍有局限，实现了全光双向突触可塑性：638 纳米 光脉冲诱发配对脉冲促进（PPF，127.8%），打开带隙并形成分布陷阱态。
在Fashion-MNIST服饰分类中达82.8%。
为此，具有良好的分散性与空气稳定性，imToken，研究团队采用电化学剥离法，结构无序化引入碲空位和配位畸变，相关成果近日发表于《微尺度》（Small）。
类脑计算与光神经形态器件成为研究热点，将TaIrTe4单晶制备成平均厚度约2纳米、横向尺寸超50微米的非晶纳米片， 非晶二维化合物实现全光神经形态器件 中国科学院东莞材料科学与技术研究所/松山湖材料实验室研究员林生晃团队联合中山大学、淮北师范大学，基于这些器件构建的三层神经网络，迁移率约1.5 cm2V-1s-1，展示了在神经形态计算与智能视觉识别中的应用潜力。
（来源：中国科学报 朱汉斌） ，单次光脉冲能耗低于5.65 pJ，可分别实现638 纳米 诱导的短期长期增强和405 纳米 诱导的短期长期抑制。